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STS6P3LLH6

STS6P3LLH6

Nur als Referenz

Teilenummer STS6P3LLH6
PNEDA Teilenummer STS6P3LLH6
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
Hersteller STMicroelectronics
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STS6P3LLH6 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTS6P3LLH6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STS6P3LLH6, STS6P3LLH6 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 712,3 KB)
PDFSTS6P3LLH6 Datenblatt Cover
STS6P3LLH6 Datenblatt Seite 2 STS6P3LLH6 Datenblatt Seite 3 STS6P3LLH6 Datenblatt Seite 4 STS6P3LLH6 Datenblatt Seite 5 STS6P3LLH6 Datenblatt Seite 6 STS6P3LLH6 Datenblatt Seite 7 STS6P3LLH6 Datenblatt Seite 8 STS6P3LLH6 Datenblatt Seite 9 STS6P3LLH6 Datenblatt Seite 10 STS6P3LLH6 Datenblatt Seite 11

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STS6P3LLH6 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieDeepGATE™, STripFET™ VI
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1450pF @ 24V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.7W (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SO
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 320µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI4431CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1006pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 4.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IPD60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 130µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

37W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF3710ZSPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

59A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

160W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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D2PAK

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Hersteller

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Serie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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