Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STWA75N60M6

STWA75N60M6

Nur als Referenz

Teilenummer STWA75N60M6
PNEDA Teilenummer STWA75N60M6
Beschreibung N-CHANNEL 600 V 32 MOHM TYP. 72
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.712
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 7 - Jul 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STWA75N60M6 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTWA75N60M6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STWA75N60M6, STWA75N60M6 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 563,38 KB)
PDFSTWA75N60M6 Datenblatt Cover
STWA75N60M6 Datenblatt Seite 2 STWA75N60M6 Datenblatt Seite 3 STWA75N60M6 Datenblatt Seite 4 STWA75N60M6 Datenblatt Seite 5 STWA75N60M6 Datenblatt Seite 6 STWA75N60M6 Datenblatt Seite 7 STWA75N60M6 Datenblatt Seite 8 STWA75N60M6 Datenblatt Seite 9 STWA75N60M6 Datenblatt Seite 10 STWA75N60M6 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STWA75N60M6 Datasheet
  • where to find STWA75N60M6
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STWA75N60M6
  • STWA75N60M6 PDF Datasheet
  • STWA75N60M6 Stock

  • STWA75N60M6 Pinout
  • Datasheet STWA75N60M6
  • STWA75N60M6 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STWA75N60M6 Price
  • STWA75N60M6 Distributor

STWA75N60M6 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ M6
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.72A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs106nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4850pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)446W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247 Long Leads
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

RK7002AT116

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

33pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SST3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SQJ414EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

STD5407NT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.6A (Ta), 38A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 32V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.9W (Ta), 75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

CPH6444-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

78mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

505pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-CPH

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SSM3K72KCT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVII-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

400mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

CST3

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Kürzlich verkauft

NLAS4599DFT2G

NLAS4599DFT2G

ON Semiconductor

IC SWITCH SPDT SC88

PIC18F6527-I/PT

PIC18F6527-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP

MAX881REUB+

MAX881REUB+

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP 1OUT 10UMAX

BAT54WS-7-F

BAT54WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD323

0251002.NRT1L

0251002.NRT1L

Littelfuse

FUSE BRD MNT 2A 125VAC/VDC AXIAL

IHLP2525CZERR33M01

IHLP2525CZERR33M01

Vishay Dale

FIXED IND 330NH 20A 3.9 MOHM SMD

MMBT2369LT1G

MMBT2369LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 15V 0.2A SOT23

BLM18KG121TN1D

BLM18KG121TN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

EPM2210F256I5N

EPM2210F256I5N

Intel

IC CPLD 1700MC 7NS 256FBGA

SI8233BB-D-IS

SI8233BB-D-IS

Silicon Labs

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

SMBJ15CA

SMBJ15CA

Microsemi

TVS DIODE 15V 24.4V DO214AA

HLMP-1503-C00A2

HLMP-1503-C00A2

Broadcom

LED 3MM GAP DIFF GRN RA HOUSING