STY60NM50
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| Teilenummer | STY60NM50 |
| PNEDA Teilenummer | STY60NM50 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 60A MAX247 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.496 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STY60NM50 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STY60NM50 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STY60NM50 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 60A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 266nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7500pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 560W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | MAX247™ |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSV-H FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.4mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOP (5.5x6.0) Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
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