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TC1413NEOA713

TC1413NEOA713

Nur als Referenz

Teilenummer TC1413NEOA713
PNEDA Teilenummer TC1413NEOA713
Beschreibung IC MOSFET DVR 3A HS 8SOIC
Hersteller Microchip Technology
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TC1413NEOA713 Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTC1413NEOA713
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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TC1413NEOA713 Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypN-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 16V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)3A, 3A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)20ns, 20ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 16.5V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.6A, 1.6A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

UCC27423DGNR

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-MSOP-PowerPad

MC33152P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

6.1V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

36ns, 32ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

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Linear Technology/Analog Devices

Hersteller

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 13.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1.85V, 3.25V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.5A, 3A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 5ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-MSOP-EP

NCP81061MNTWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

35V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

16ns, 11ns

Betriebstemperatur

-10°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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