TC58BYG2S0HBAI6
Nur als Referenz
| Teilenummer | TC58BYG2S0HBAI6 |
| PNEDA Teilenummer | TC58BYG2S0HBAI6 |
| Beschreibung | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.048 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 28 - Jun 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
TC58BYG2S0HBAI6 Ressourcen
| Marke | Toshiba Memory America, Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | TC58BYG2S0HBAI6 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- TC58BYG2S0HBAI6 Datasheet
- where to find TC58BYG2S0HBAI6
- Toshiba Memory America, Inc.
- Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG2S0HBAI6
- TC58BYG2S0HBAI6 PDF Datasheet
- TC58BYG2S0HBAI6 Stock
- TC58BYG2S0HBAI6 Pinout
- Datasheet TC58BYG2S0HBAI6
- TC58BYG2S0HBAI6 Supplier
- Toshiba Memory America, Inc. Distributor
- TC58BYG2S0HBAI6 Price
- TC58BYG2S0HBAI6 Distributor
TC58BYG2S0HBAI6 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Serie | Benand™ |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | 25ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 67-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 67-VFBGA (6.5x8) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 9Mb (128K x 72) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 4.4ns Spannung - Versorgung 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 484-BGA Lieferantengerätepaket 484-FBGA (23x23) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 68-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 68-PLCC (24.21x24.21) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 200µs Zugriffszeit 200ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 32-PLCC (13.97x11.43) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 256Kb (16K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 9ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat RAM Technologie SGRAM - GDDR6 Speichergröße 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 1.25GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.21V ~ 1.29V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 180-TFBGA Lieferantengerätepaket 180-FBGA (12x14) |
