TC58NVG1S3HBAI4
Nur als Referenz
| Teilenummer | TC58NVG1S3HBAI4 |
| PNEDA Teilenummer | TC58NVG1S3HBAI4 |
| Beschreibung | IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA |
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.159 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 15 - Jul 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3HBAI4 Ressourcen
| Marke | Toshiba Memory America, Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | TC58NVG1S3HBAI4 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- TC58NVG1S3HBAI4 Datasheet
- where to find TC58NVG1S3HBAI4
- Toshiba Memory America, Inc.
- Toshiba Memory America, Inc. TC58NVG1S3HBAI4
- TC58NVG1S3HBAI4 PDF Datasheet
- TC58NVG1S3HBAI4 Stock
- TC58NVG1S3HBAI4 Pinout
- Datasheet TC58NVG1S3HBAI4
- TC58NVG1S3HBAI4 Supplier
- Toshiba Memory America, Inc. Distributor
- TC58NVG1S3HBAI4 Price
- TC58NVG1S3HBAI4 Distributor
TC58NVG1S3HBAI4 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 2Gb (256M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | 25ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 63-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 63-TFBGA (9x11) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Micron Technology Inc. Serie e•MMC™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND (SLC) Speichergröße 64Gb (8G x 8) Speicherschnittstelle MMC Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LBGA Lieferantengerätepaket 100-LBGA (14x18) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR4 Speichergröße 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 96-TFBGA Lieferantengerätepaket 96-FBGA (9x14) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 72Mb (4M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 6.5ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x20) |
Hersteller Microchip Technology Serie SST25 Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 80MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10µs Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
