TC8020K6-G
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| Teilenummer | TC8020K6-G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | TC8020K6-G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microchip Technology | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 27 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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TC8020K6-G Ressourcen
| Marke | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TC8020K6-G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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TC8020K6-G Technische Daten
| Hersteller | Microchip Technology |
| Serie | - |
| FET-Typ | 6 N and 6 P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 56-VFQFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 56-QFN (8x8) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 4.5A, 10V, 82mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC, 6.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 125pF, 305pF @ 15V Leistung - max 1.4W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
