TDA21472AUMA1
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| Teilenummer | TDA21472AUMA1 |
| PNEDA Teilenummer | TDA21472AUMA1 |
| Beschreibung | C_IFX POWERSTAGE/DRIVER |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.870 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 22 - Apr 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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TDA21472AUMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TDA21472AUMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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TDA21472AUMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | * |
| Angetriebene Konfiguration | - |
| Kanaltyp | - |
| Anzahl der Treiber | - |
| Gate-Typ | - |
| Spannung - Versorgung | - |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | - |
| Eingabetyp | - |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 17V Logikspannung - VIL, VIH 2.4V, 5.8V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 4A, 4A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 120V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 7.2ns, 5.5ns Betriebstemperatur -40°C ~ 140°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-WSON (4x4) |
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Hersteller IXYS-RF Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 15A, 15A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 4ns, 4ns Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SMD Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 1V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 4A, 4A Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 8ns, 7ns Betriebstemperatur -40°C ~ 140°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-SON-EP (3x3) |
