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TIG062E8-TL-H

TIG062E8-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer TIG062E8-TL-H
PNEDA Teilenummer TIG062E8-TL-H
Beschreibung IGBT 400V ECH8
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.536
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

TIG062E8-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTIG062E8-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
TIG062E8-TL-H, TIG062E8-TL-H Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 351,98 KB)
PDFTIG062E8-TL-H Datenblatt Cover
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TIG062E8-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)400V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic8V @ 3V, 100A
Leistung - max-
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket8-ECH

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Leistung - max

455W

Schaltenergie

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/160ns

Testbedingung

400V, 50A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 100A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

1.6mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

750nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/310ns

Testbedingung

300V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS264™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS264™

APT95GR65B2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

208A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 95A

Leistung - max

892W

Schaltenergie

3.12mJ (on), 2.55mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/226ns

Testbedingung

433V, 95A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

T-MAX™ [B2]

MGD623S

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

75ns/300ns

Testbedingung

300V, 50A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

300ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-3P

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