TK16C60W,S1VQ
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Teilenummer | TK16C60W,S1VQ |
PNEDA Teilenummer | TK16C60W-S1VQ |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
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TK16C60W Ressourcen
Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | TK16C60W,S1VQ |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TK16C60W Technische Daten
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | DTMOSIV |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 790µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 300V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 130W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | I2PAK |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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