TK35N65W5,S1F
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| Teilenummer | TK35N65W5,S1F |
| PNEDA Teilenummer | TK35N65W5-S1F |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 35A TO-247 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.634 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TK35N65W5 Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TK35N65W5,S1F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TK35N65W5 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | DTMOSIV |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 35A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 17.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 300V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 270W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.2W (Ta), 105W (Tc) Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252 (MP-3ZK) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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