TK40S10K3Z(T6L1,NQ
Nur als Referenz
| Teilenummer | TK40S10K3Z(T6L1,NQ |
| PNEDA Teilenummer | TK40S10K3Z-T6L1-NQ |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.940 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TK40S10K3Z(T6L1 Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TK40S10K3Z(T6L1,NQ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TK40S10K3Z(T6L1 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIV |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 40A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3110pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 93W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK+ |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Cree/Wolfspeed Serie C3M™ FET-Typ N-Channel Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 63A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 35A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 11mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 15V Vgs (Max) +15V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1864pF @ 600V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 149W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-4 Paket / Fall TO-247-4 |
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