TP65H035WS
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| Teilenummer | TP65H035WS |
| PNEDA Teilenummer | TP65H035WS |
| Beschreibung | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 |
| Hersteller | Transphorm |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TP65H035WS Ressourcen
| Marke | Transphorm |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TP65H035WS |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TP65H035WS Technische Daten
| Hersteller | Transphorm |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 46.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 156W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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