TP65H070LDG
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| Teilenummer | TP65H070LDG |
| PNEDA Teilenummer | TP65H070LDG |
| Beschreibung | 650 V 25 A GAN FET |
| Hersteller | Transphorm |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.796 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TP65H070LDG Ressourcen
| Marke | Transphorm |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TP65H070LDG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TP65H070LDG Technische Daten
| Hersteller | Transphorm |
| Serie | TP65H070L |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 25A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 96W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 3-PQFN (8x8) |
| Paket / Fall | 3-PowerDFN |
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