TPC6109-H(TE85L,FM
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| Teilenummer | TPC6109-H(TE85L,FM |
| PNEDA Teilenummer | TPC6109-H-TE85L-FM |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 5A VS-6 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.604 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPC6109-H(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPC6109-H(TE85L,FM |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
TPC6109-H(TE85L, TPC6109-H(TE85L Datenblatt
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TPC6109-H(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIII-H |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | VS-6 (2.9x2.8) |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 3.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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