TPCC8065-H,LQ(S
Nur als Referenz
| Teilenummer | TPCC8065-H,LQ(S |
| PNEDA Teilenummer | TPCC8065-H-LQ-S |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 14 - Jul 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
TPCC8065-H Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | TPCC8065-H,LQ(S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- TPCC8065-H,LQ(S Datasheet
- where to find TPCC8065-H,LQ(S
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8065-H,LQ(S
- TPCC8065-H,LQ(S PDF Datasheet
- TPCC8065-H,LQ(S Stock
- TPCC8065-H,LQ(S Pinout
- Datasheet TPCC8065-H,LQ(S
- TPCC8065-H,LQ(S Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- TPCC8065-H,LQ(S Price
- TPCC8065-H,LQ(S Distributor
TPCC8065-H Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVII-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 13A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 900mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 109pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 350mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.65A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1643pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 810mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8920pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 293W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I2PAK Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller Micro Commercial Co Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
