TPH3206LDB
Nur als Referenz
| Teilenummer | TPH3206LDB |
| PNEDA Teilenummer | TPH3206LDB |
| Beschreibung | GANFET N-CH 650V 16A PQFN |
| Hersteller | Transphorm |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.438 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPH3206LDB Ressourcen
| Marke | Transphorm |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPH3206LDB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TPH3206LDB Technische Daten
| Hersteller | Transphorm |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 480V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 81W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PQFN (8x8) |
| Paket / Fall | 4-PowerDFN |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220 Paket / Fall TO-220-3 |
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