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TSM85N10CZ C0G

TSM85N10CZ C0G

Nur als Referenz

Teilenummer TSM85N10CZ C0G
PNEDA Teilenummer TSM85N10CZ-C0G
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 18.648
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TSM85N10CZ C0G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTSM85N10CZ C0G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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TSM85N10CZ C0G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.81A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs154nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3900pF @ 30V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)210W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220
Paket / FallTO-220-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 30A

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1011pF @ 13V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 27W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

570mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

193nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

780W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Paket / Fall

TO-247-3

NVD5890NLT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Ta), 123A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4760pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4W (Ta), 107W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD50N06S214ATMA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.4mOhm @ 32A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1485pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1040pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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