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UCC27323DR

UCC27323DR

Nur als Referenz

Teilenummer UCC27323DR
PNEDA Teilenummer UCC27323DR
Beschreibung IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8SOIC
Hersteller Texas Instruments
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UCC27323DR Ressourcen

Marke Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUCC27323DR
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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UCC27323DR Technische Daten

Hersteller
Serie-
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 15V
Logikspannung - VIL, VIH1V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)4A, 4A
EingabetypInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)20ns, 15ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 8ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-DFN (3x3)

MCP14E11T-E/SN

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

FAN7380MX

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

90mA, 180mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

230ns, 90ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TC426EOA713

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

30ns, 30ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

BD2270HFV-LBTR

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

130µs, 18µs

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-665

Lieferantengerätepaket

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