UMT3904T106
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| Teilenummer | UMT3904T106 |
| PNEDA Teilenummer | UMT3904T106 |
| Beschreibung | TRANS NPN 40V 0.2A SOT-323 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 57.984 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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UMT3904T106 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | UMT3904T106 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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UMT3904T106 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 40V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Leistung - max | 200mW |
| Frequenz - Übergang | 300MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | UMT3 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 50mA, 2V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 400MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-96 Lieferantengerätepaket TSMT3 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 225mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 1A, 2V Leistung - max 480mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V Leistung - max 900mW Frequenz - Übergang 120MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket TO-92MOD |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 215 @ 2mA, 5V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 10V Leistung - max 225mW Frequenz - Übergang 20MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
