UNR411900A
Nur als Referenz
| Teilenummer | UNR411900A |
| PNEDA Teilenummer | UNR411900A |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 |
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.156 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 9 - Jun 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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UNR411900A Ressourcen
| Marke | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | UNR411900A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
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UNR411900A Technische Daten
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 80MHz |
| Leistung - max | 300mW |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 3-SSIP |
| Lieferantengerätepaket | NS-B1 |
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Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 150MHz Leistung - max 125mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket SSMini3-F3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 230mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket SC-59-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 200 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50µA, 500µA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 200mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 246mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 300mW Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Short Body Lieferantengerätepaket TO-92S |
