Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

UPA2660T1R-E2-AX

UPA2660T1R-E2-AX

Nur als Referenz

Teilenummer UPA2660T1R-E2-AX
PNEDA Teilenummer UPA2660T1R-E2-AX
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.428
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 10 - Mai 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

UPA2660T1R-E2-AX Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUPA2660T1R-E2-AX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
UPA2660T1R-E2-AX, UPA2660T1R-E2-AX Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 261,71 KB)
PDFUPA2660T1R-E2-AX Datenblatt Cover
UPA2660T1R-E2-AX Datenblatt Seite 2 UPA2660T1R-E2-AX Datenblatt Seite 3 UPA2660T1R-E2-AX Datenblatt Seite 4 UPA2660T1R-E2-AX Datenblatt Seite 5 UPA2660T1R-E2-AX Datenblatt Seite 6 UPA2660T1R-E2-AX Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • UPA2660T1R-E2-AX Datasheet
  • where to find UPA2660T1R-E2-AX
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America UPA2660T1R-E2-AX
  • UPA2660T1R-E2-AX PDF Datasheet
  • UPA2660T1R-E2-AX Stock

  • UPA2660T1R-E2-AX Pinout
  • Datasheet UPA2660T1R-E2-AX
  • UPA2660T1R-E2-AX Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • UPA2660T1R-E2-AX Price
  • UPA2660T1R-E2-AX Distributor

UPA2660T1R-E2-AX Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs62mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 10V
Leistung - max2.3W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket6-HUSON (2x2)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

LN60A01ES-LF-Z

Monolithic Power Systems Inc.

Hersteller

Monolithic Power Systems Inc.

Serie

-

FET-Typ

3 N-Channel, Common Gate

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-20°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

ECH8654-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-ECH

APTMC120AM09CT3AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N Channel (Phase Leg)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

295A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 40mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

644nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11000pF @ 1000V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

IRF9952PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

STS2DNF30L

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

121pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Kürzlich verkauft

MC9S08LC36LK

MC9S08LC36LK

NXP

IC MCU 8BIT 36KB FLASH 80FQFP

SMAJ36A

SMAJ36A

Bourns

TVS DIODE 36V 58.1V SMA

ETPF1000M5H

ETPF1000M5H

Panasonic Electronic Components

CAP TANT POLY 1000UF 2.5V 2917

RCLAMP0502BATCT

RCLAMP0502BATCT

Semtech

TVS DIODE 5V 25V SC75

SRV05-4.TCT

SRV05-4.TCT

Semtech

TVS DIODE 5V 17.5V SOT23-6

VLS252012HBX-2R2M-1

VLS252012HBX-2R2M-1

TDK

FIXED IND 2.2UH 2.3A 102 MOHM

SMD050-2

SMD050-2

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 500MA 2SMD

LTST-C171KRKT

LTST-C171KRKT

Lite-On Inc.

LED RED CLEAR SMD

MT25QL512ABB8ESF-0SIT

MT25QL512ABB8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2

S14100038

S14100038

Wurth Electronics

CMC 560UH 20A 2LN TH

ATTINY816-MN

ATTINY816-MN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20QFN

ECLAMP2410P.TCT

ECLAMP2410P.TCT

Semtech

FILTER RC(PI) 45 OHM/12PF SMD