V20120S-E3/4W
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| Teilenummer | V20120S-E3/4W |
| PNEDA Teilenummer | V20120S-E3-4W |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.218 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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V20120S-E3/4W Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | V20120S-E3/4W |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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V20120S-E3/4W Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | TMBS® |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 120V |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.12V @ 20A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 300µA @ 120V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
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Hersteller Micro Commercial Co Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AB, MELF (Glass) Lieferantengerätepaket MELF Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 500V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 30µA @ 500V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 80ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 40pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket ITO-220AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1.5A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 20pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-41 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.31V @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 400ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
