VO212AT
Nur als Referenz
| Teilenummer | VO212AT |
| PNEDA Teilenummer | VO212AT |
| Beschreibung | OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Opto Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.032 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 3 - Jun 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VO212AT Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Opto Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VO212AT |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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VO212AT Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Opto Division |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 4000Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 50% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 3µs, 3µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 3µs, 2µs |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 30V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 50mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.3V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 60mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 400mV |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 2500Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 10% @ 16mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 300ns, 1µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 15V Strom - Ausgang / Kanal 8mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.65V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 25mA Vce-Sättigung (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-DIP |
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Hersteller Sharp Microelectronics Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 600% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 4µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 200mV Betriebstemperatur -30°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-Miniflat Lieferantengerätepaket 4-Mini-Flat |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5300Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 63% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 125% @ 10mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 2µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 1µs, 2µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 70V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.35V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 100mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
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