VS-10ETF06-M3
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| Teilenummer | VS-10ETF06-M3 |
| PNEDA Teilenummer | VS-10ETF06-M3 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.770 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 21 - Jul 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-10ETF06-M3 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-10ETF06-M3 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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VS-10ETF06-M3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 10A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-2 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AC |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket DO-214AC (SMA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 500V Current - Average Rectified (Io) 16A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 500V Kapazität @ Vr, F. 85pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (TO-3P) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 15pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall T-18, Axial Lieferantengerätepaket TS-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie Military, MIL-PRF-19500/578 & /609 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 300mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 6ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SQ-MELF, D Lieferantengerätepaket D-5D Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
