VS-80PFR80W
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| Teilenummer | VS-80PFR80W |
| PNEDA Teilenummer | VS-80PFR80W |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 800V 80A DO203AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.212 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 11 - Jun 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-80PFR80W Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-80PFR80W |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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VS-80PFR80W Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
| Current - Average Rectified (Io) | 80A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 220A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | - |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-203AB (DO-5) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 180°C |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 70V Current - Average Rectified (Io) 70mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 15mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 100ps Strom - Umkehrleckage @ Vr 100nA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 2pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-76, SOD-323 Lieferantengerätepaket PG-SOD323-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller WeEn Semiconductors Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.9V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 52ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 150µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket TO-220FP Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 16A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 170pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 810mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 150pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Powermite®3 Lieferantengerätepaket Powermite 3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
