VS-8AF4RPP
Nur als Referenz
| Teilenummer | VS-8AF4RPP |
| PNEDA Teilenummer | VS-8AF4RPP |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 400V 50A B47 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.654 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-8AF4RPP Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-8AF4RPP |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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VS-8AF4RPP Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
| Current - Average Rectified (Io) | 50A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5mA @ 400V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | B-47 |
| Lieferantengerätepaket | B-47 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 195°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 2200V Current - Average Rectified (Io) 600A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.44V @ 1500A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall B-8 Lieferantengerätepaket B-8 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 975mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 70pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket ITO-220AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 70V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 790mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 70V Kapazität @ Vr, F. 105pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket SMB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 12A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 12A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-4 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 180V Current - Average Rectified (Io) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 180V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AA Lieferantengerätepaket DO-213AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
