VS-8EWX06FNTR-M3
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| Teilenummer | VS-8EWX06FNTR-M3 |
| PNEDA Teilenummer | VS-8EWX06FNTR-M3 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.022 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-8EWX06FNTR-M3 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-8EWX06FNTR-M3 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
VS-8EWX06FNTR-M3, VS-8EWX06FNTR-M3 Datenblatt
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VS-8EWX06FNTR-M3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | FRED Pt® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 3V @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 17ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 50µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | D-PAK (TO-252AA) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Micro Commercial Co Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 2.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 2.5A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 35pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall R-3, Axial Lieferantengerätepaket R-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 580mV @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 1ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 9pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket SSSMini2-F3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 9A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket B, Axial Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 700mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3.3V @ 700mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 100ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 20µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
