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VS-CPV363M4KPBF

VS-CPV363M4KPBF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-CPV363M4KPBF
PNEDA Teilenummer VS-CPV363M4KPBF
Beschreibung MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.240
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 13 - Mai 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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VS-CPV363M4KPBF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-CPV363M4KPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-CPV363M4KPBF, VS-CPV363M4KPBF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 253,75 KB)
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VS-CPV363M4KPBF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-Typ-
Konfiguration-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)11A
Leistung - max36W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 6A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce0.74nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall19-SIP (13 Leads), IMS-2
LieferantengerätepaketIMS-2

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Asymmetrical Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

290A

Leistung - max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

BSM200GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

290A

Leistung - max

1400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

4mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF50SK120TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

VS-GB100TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

1136W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.45nF @ 20V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

BSM15GD120DLCE3224BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Leistung - max

145W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

76µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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