Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

VS-ETF150Y65U

VS-ETF150Y65U

Nur als Referenz

Teilenummer VS-ETF150Y65U
PNEDA Teilenummer VS-ETF150Y65U
Beschreibung IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.130
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 17 - Mai 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-ETF150Y65U Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-ETF150Y65U
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-ETF150Y65U, VS-ETF150Y65U Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 465,22 KB)
PDFVS-ETF150Y65U Datenblatt Cover
VS-ETF150Y65U Datenblatt Seite 2 VS-ETF150Y65U Datenblatt Seite 3 VS-ETF150Y65U Datenblatt Seite 4 VS-ETF150Y65U Datenblatt Seite 5 VS-ETF150Y65U Datenblatt Seite 6 VS-ETF150Y65U Datenblatt Seite 7 VS-ETF150Y65U Datenblatt Seite 8 VS-ETF150Y65U Datenblatt Seite 9 VS-ETF150Y65U Datenblatt Seite 10 VS-ETF150Y65U Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • VS-ETF150Y65U Datasheet
  • where to find VS-ETF150Y65U
  • Vishay Semiconductor Diodes Division

  • Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ETF150Y65U
  • VS-ETF150Y65U PDF Datasheet
  • VS-ETF150Y65U Stock

  • VS-ETF150Y65U Pinout
  • Datasheet VS-ETF150Y65U
  • VS-ETF150Y65U Supplier

  • Vishay Semiconductor Diodes Division Distributor
  • VS-ETF150Y65U Price
  • VS-ETF150Y65U Distributor

VS-ETF150Y65U Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-TypTrench
KonfigurationThree Level Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)142A
Leistung - max417W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.06V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce6.6nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallEMIPAK-2B
LieferantengerätepaketEMIPAK-2B

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FF75R12YT3BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

345W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FF450R12ME3BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600A

Leistung - max

2100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

32nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTCV60TLM24T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Level Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

183A

Leistung - max

630W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.43nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E3

Lieferantengerätepaket

E3

APTGLQ40H120T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

Kürzlich verkauft

ABS05-32.768KHZ-T

ABS05-32.768KHZ-T

Abracon

CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD

VO14642AABTR

VO14642AABTR

Vishay Semiconductor Opto Division

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V

AC0603FR-07100KL

AC0603FR-07100KL

Yageo

RES SMD 100K OHM 1% 1/10W 0603

X9C503SIZT1

X9C503SIZT1

Renesas Electronics America Inc.

IC DGTL POT 50KOHM 100TAP 8SOIC

FAN3111ESX

FAN3111ESX

ON Semiconductor

IC GATE DVR SGL 1A EXTER SOT23-5

BYV26C-TAP

BYV26C-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57

74437349015

74437349015

Wurth Electronics

FIXED IND 1.5UH 8A 9 MOHM SMD

SMBJ58A

SMBJ58A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

MAX912ESE

MAX912ESE

Maxim Integrated

IC COMPARATOR TTL HS LP 16-SOIC

ADG506AKR

ADG506AKR

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 16X1 28SOIC

IRFU9024NPBF

IRFU9024NPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK

MAX3232CSE+T

MAX3232CSE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO