Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

VS-GA100TS120UPBF

VS-GA100TS120UPBF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-GA100TS120UPBF
PNEDA Teilenummer VS-GA100TS120UPBF
Beschreibung IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.546
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 14 - Mai 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-GA100TS120UPBF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-GA100TS120UPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-GA100TS120UPBF, VS-GA100TS120UPBF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 257,81 KB)
PDFVS-GA100TS120UPBF Datenblatt Cover
VS-GA100TS120UPBF Datenblatt Seite 2 VS-GA100TS120UPBF Datenblatt Seite 3 VS-GA100TS120UPBF Datenblatt Seite 4 VS-GA100TS120UPBF Datenblatt Seite 5 VS-GA100TS120UPBF Datenblatt Seite 6 VS-GA100TS120UPBF Datenblatt Seite 7 VS-GA100TS120UPBF Datenblatt Seite 8 VS-GA100TS120UPBF Datenblatt Seite 9 VS-GA100TS120UPBF Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • VS-GA100TS120UPBF Datasheet
  • where to find VS-GA100TS120UPBF
  • Vishay Semiconductor Diodes Division

  • Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GA100TS120UPBF
  • VS-GA100TS120UPBF PDF Datasheet
  • VS-GA100TS120UPBF Stock

  • VS-GA100TS120UPBF Pinout
  • Datasheet VS-GA100TS120UPBF
  • VS-GA100TS120UPBF Supplier

  • Vishay Semiconductor Diodes Division Distributor
  • VS-GA100TS120UPBF Price
  • VS-GA100TS120UPBF Distributor

VS-GA100TS120UPBF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)182A
Leistung - max520W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce18.67nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallINT-A-Pak
LieferantengerätepaketINT-A-PAK

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT200GN60JDQ4

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

283A

Leistung - max

682W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

APTGF50DU120TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Dual, Common Source

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

F475R12KS4B11BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.75V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

420A

Leistung - max

1700W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3.3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

17nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Y3-Li

Lieferantengerätepaket

Y3-Li

APT35GP120J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Leistung - max

284W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.24nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

Kürzlich verkauft

LTST-C150TBKT

LTST-C150TBKT

Lite-On Inc.

LED BLUE CLEAR 1206 SMD

PMEG4010EH,115

PMEG4010EH,115

Nexperia

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123F

AD7305BRZ

AD7305BRZ

Analog Devices

IC DAC 8BIT V-OUT 20SOIC

0154007.DR

0154007.DR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC 2SMD

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

MAX15006AATT/V+T

MAX15006AATT/V+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR 3.3V 50MA 6TDFN

2N3771

2N3771

STMicroelectronics

TRANS NPN 40V 30A TO-3

SMAJ36A

SMAJ36A

Bourns

TVS DIODE 36V 58.1V SMA

NTA4153NT1G

NTA4153NT1G

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416

APT2012EC

APT2012EC

Kingbright

LED RED CLEAR CHIP SMD

TAJD227K010RNJ

TAJD227K010RNJ

CAP TANT 220UF 10% 10V 2917

1.5KE200CA

1.5KE200CA

STMicroelectronics

TVS DIODE 171V 353V DO201