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VS-GB50YF120N

VS-GB50YF120N

Nur als Referenz

Teilenummer VS-GB50YF120N
PNEDA Teilenummer VS-GB50YF120N
Beschreibung IGBT 1200V 66A 330W ECONO
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.700
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VS-GB50YF120N Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-GB50YF120N
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-GB50YF120N, VS-GB50YF120N Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 211,83 KB)
PDFVS-GB50YF120N Datenblatt Cover
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VS-GB50YF120N Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-Typ-
Konfiguration-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)66A
Leistung - max330W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4.5V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketECONO2 4PACK

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

3 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

700W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT150SK120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

690W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

FF300R12MS4BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

370A

Leistung - max

1950W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.75V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Leistung - max

300W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

750µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

FP35R12KT4BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Leistung - max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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