VS-GB70NA60UF
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| Teilenummer | VS-GB70NA60UF |
| PNEDA Teilenummer | VS-GB70NA60UF |
| Beschreibung | IGBT 600V 111A 447W SOT-227 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.452 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-GB70NA60UF Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-GB70NA60UF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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VS-GB70NA60UF Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 111A |
| Leistung - max | 447W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.44V @ 15V, 70A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Leistung - max 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
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