VS-MURB2020CT-1HM3
Nur als Referenz
| Teilenummer | VS-MURB2020CT-1HM3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | VS-MURB2020CT-1HM3 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE STANDARD 200V 10A TO262 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 4.173 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 10 - Jun 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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VS-MURB2020CT-1HM3 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-MURB2020CT-1HM3 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
VS-MURB2020CT-1HM3, VS-MURB2020CT-1HM3 Datenblatt
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VS-MURB2020CT-1HM3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 21ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 15µA @ 200V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-262 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodenkonfiguration 2 Independent Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 30A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 600µA @ 1200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket SOT-227 |
