VS-SD303C10S10C
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| Teilenummer | VS-SD303C10S10C |
| PNEDA Teilenummer | VS-SD303C10S10C |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1KV 350A DO200AA |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.186 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 7 - Jun 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-SD303C10S10C Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-SD303C10S10C |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
VS-SD303C10S10C, VS-SD303C10S10C Datenblatt
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VS-SD303C10S10C Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
| Current - Average Rectified (Io) | 350A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.26V @ 1100A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 35mA @ 1000V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Clamp On |
| Paket / Fall | DO-200AA, A-PUK |
| Lieferantengerätepaket | DO-200AA, A-PUK |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | - |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 35V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket DO-214AC (SMA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 90V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 300µA @ 90V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller IXYS Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1600V Current - Average Rectified (Io) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.29V @ 30A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 40µA @ 1600V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 400V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB (D²PAK) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 620mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-215AB, SMC Gull Wing Lieferantengerätepaket DO-215AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Cree/Wolfspeed Serie Z-Rec® Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 43.5A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 15A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 1200pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
