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VS-T70RIA120S90

VS-T70RIA120S90

Nur als Referenz

Teilenummer VS-T70RIA120S90
PNEDA Teilenummer VS-T70RIA120S90
Beschreibung DIODE T-MODULE 1200V 70A D-55
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 6.588
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VS-T70RIA120S90 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-T70RIA120S90
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
VS-T70RIA120S90, VS-T70RIA120S90 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 249,8 KB)
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VS-T70RIA120S90 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand1.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)70A
Current - On State (It (RMS)) (max.)110A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)120mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)1660A, 1740A
Current - Hold (Ih) (Max)200mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallD-55

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

230A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

510A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

7500A, 7850A

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

3-MAGN-A-PAK™

GA060TH65-227SP

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

6.5kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

60A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

104A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

-

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

VS-P122

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3)

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs, 2 Diodes

Spannung - Aus Zustand

600V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

60mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

357A, 375A

Current - Hold (Ih) (Max)

130mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

8-PACE-PAK

VS-VSKT250-04PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

400V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

250A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

555A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

8500A, 8900A

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MAGN-A-PAK

PA432206

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

2.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

600A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1330A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

4.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

46400A, 50890A

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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