VS-VSKE270-08PBF
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| Teilenummer | VS-VSKE270-08PBF |
| PNEDA Teilenummer | VS-VSKE270-08PBF |
| Beschreibung | DIODE GP 800V 270A MAGNAPAK |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.968 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-VSKE270-08PBF Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-VSKE270-08PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
VS-VSKE270-08PBF, VS-VSKE270-08PBF Datenblatt
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VS-VSKE270-08PBF Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
| Current - Average Rectified (Io) | 270A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 50mA @ 800V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 3-MAGN-A-PAK™ |
| Lieferantengerätepaket | MAGN-A-PAK® |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 800µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 45pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-41 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 60A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 60A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 200°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 6A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 8pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AL (DO-41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
