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W25Q32FVTBIG

W25Q32FVTBIG

Nur als Referenz

Teilenummer W25Q32FVTBIG
PNEDA Teilenummer W25Q32FVTBIG
Beschreibung IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 6.912
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 31 - Jun 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

W25Q32FVTBIG Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW25Q32FVTBIG
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W25Q32FVTBIG, W25Q32FVTBIG Datenblatt (Total Pages: 99, Größe: 2.512,37 KB)
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W25Q32FVTBIG Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße32Mb (4M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI - Quad I/O, QPI
Taktfrequenz104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite50µs, 3ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall24-TBGA
Lieferantengerätepaket24-TFBGA (6x8)

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

MT25TL256BAA1ESF-0AAT TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 2.8ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOP2

IDT71V3558XS133PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

MT49H32M18CBM-25 IT:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

576Mb (32M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

144-TFBGA

Lieferantengerätepaket

144-µBGA (18.5x11)

AT25M02-U1UM0B-T

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

5MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-XFBGA, WLCSP

Lieferantengerätepaket

8-WLCSP

Kürzlich verkauft

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