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W25Q64FVTCJQ

W25Q64FVTCJQ

Nur als Referenz

Teilenummer W25Q64FVTCJQ
PNEDA Teilenummer W25Q64FVTCJQ
Beschreibung IC FLASH MEMORY 64MB
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 8.280
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

W25Q64FVTCJQ Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW25Q64FVTCJQ
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W25Q64FVTCJQ, W25Q64FVTCJQ Datenblatt (Total Pages: 92, Größe: 1.914,95 KB)
PDFW25Q64FVZPJQ Datenblatt Cover
W25Q64FVZPJQ Datenblatt Seite 2 W25Q64FVZPJQ Datenblatt Seite 3 W25Q64FVZPJQ Datenblatt Seite 4 W25Q64FVZPJQ Datenblatt Seite 5 W25Q64FVZPJQ Datenblatt Seite 6 W25Q64FVZPJQ Datenblatt Seite 7 W25Q64FVZPJQ Datenblatt Seite 8 W25Q64FVZPJQ Datenblatt Seite 9 W25Q64FVZPJQ Datenblatt Seite 10 W25Q64FVZPJQ Datenblatt Seite 11

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W25Q64FVTCJQ Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße64Mb (8M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI - Quad I/O, QPI
Taktfrequenz104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite50µs, 3ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall24-TBGA
Lieferantengerätepaket24-TFBGA (6x8)

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Sharp Microelectronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-10°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOP

Lieferantengerätepaket

28-SOP

MT40A512M16JY-062E:B

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR4

Speichergröße

8Gb (512M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.6GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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AT25640AY1-10YI-1.8

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-MAP (3x4.9)

93AA76CT-I/ST

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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