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W25Q80JVSSIQ TR

W25Q80JVSSIQ TR

Nur als Referenz

Teilenummer W25Q80JVSSIQ TR
PNEDA Teilenummer W25Q80JVSSIQ-TR
Beschreibung IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 2.214
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

W25Q80JVSSIQ TR Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW25Q80JVSSIQ TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W25Q80JVSSIQ TR, W25Q80JVSSIQ TR Datenblatt (Total Pages: 71, Größe: 2.548,94 KB)
PDFW25Q80JVSNIQ TR Datenblatt Cover
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W25Q80JVSSIQ TR Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße8Mb (1M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite3ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

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Hersteller

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

200ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

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