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W632GG8MB12I

W632GG8MB12I

Nur als Referenz

Teilenummer W632GG8MB12I
PNEDA Teilenummer W632GG8MB12I
Beschreibung IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 2.538
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

W632GG8MB12I Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW632GG8MB12I
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W632GG8MB12I, W632GG8MB12I Datenblatt (Total Pages: 160, Größe: 5.414,12 KB)
PDFW632GG8MB15I Datenblatt Cover
W632GG8MB15I Datenblatt Seite 2 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 3 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 4 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 5 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 6 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 7 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 8 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 9 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 10 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 11

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W632GG8MB12I Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Speichergröße2Gb (128M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur-40°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall78-VFBGA
Lieferantengerätepaket78-VFBGA (10.5x8)

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (13x11)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

S25FL032P0XNFI011

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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AT93C57-10PI-1.8

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

AT49LV002T-12PI

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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