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W632GU8MB15I

W632GU8MB15I

Nur als Referenz

Teilenummer W632GU8MB15I
PNEDA Teilenummer W632GU8MB15I
Beschreibung IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 7.956
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

W632GU8MB15I Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW632GU8MB15I
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W632GU8MB15I, W632GU8MB15I Datenblatt (Total Pages: 161, Größe: 5.498,2 KB)
PDFW632GU8MB15I Datenblatt Cover
W632GU8MB15I Datenblatt Seite 2 W632GU8MB15I Datenblatt Seite 3 W632GU8MB15I Datenblatt Seite 4 W632GU8MB15I Datenblatt Seite 5 W632GU8MB15I Datenblatt Seite 6 W632GU8MB15I Datenblatt Seite 7 W632GU8MB15I Datenblatt Seite 8 W632GU8MB15I Datenblatt Seite 9 W632GU8MB15I Datenblatt Seite 10 W632GU8MB15I Datenblatt Seite 11

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W632GU8MB15I Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Speichergröße2Gb (128M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur-40°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall78-VFBGA
Lieferantengerätepaket78-VFBGA (8x10.5)

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-LCC

Lieferantengerätepaket

28-LCC (13.97x8.89)

CY7C1412BV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

36Mb (2M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Mb (32K x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

75MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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