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W947D6HBHX6E

W947D6HBHX6E

Nur als Referenz

Teilenummer W947D6HBHX6E
PNEDA Teilenummer W947D6HBHX6E
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 8.082
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 17 - Mai 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

W947D6HBHX6E Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW947D6HBHX6E
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W947D6HBHX6E, W947D6HBHX6E Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 1.160,44 KB)
PDFW947D2HBJX6E Datenblatt Cover
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W947D6HBHX6E Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße128Mb (8M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-TFBGA
Lieferantengerätepaket60-VFBGA (8x9)

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP I

IS43DR16320C-25DBI

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

84-TFBGA

Lieferantengerätepaket

84-TWBGA (8x12.5)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 2.8ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-TBGA

Lieferantengerätepaket

24-T-PBGA (6x8)

AT49F002T-70PC

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

32-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

32-PDIP

NM93CS66N

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (256 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-DIP

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