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ZVN3310A

ZVN3310A

Nur als Referenz

Teilenummer ZVN3310A
PNEDA Teilenummer ZVN3310A
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
Hersteller Diodes Incorporated
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ZVN3310A Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZVN3310A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
ZVN3310A, ZVN3310A Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 83,99 KB)
PDFZVN3310ASTOA Datenblatt Cover
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ZVN3310A Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds40pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)625mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-92-3
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

130A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.82mOhm @ 39A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

257nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10850pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-HVSON (5.4x5.15)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

FDMC8878_F126

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.6A (Ta), 16.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1230pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 31W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-MLP (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

C3M0065100K

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

C3M™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

78mOhm @ 20A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 15V

Vgs (Max)

+19V, -8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 600V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

113.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L

Paket / Fall

TO-247-4

NTB4302T4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

74A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 24V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

80W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

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50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2220pF @ 12.5V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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