ZVN4206NTC
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZVN4206NTC |
| PNEDA Teilenummer | ZVN4206NTC |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V SOT-223-8 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ZVN4206NTC Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZVN4206NTC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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ZVN4206NTC Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-223-8 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 4.8A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2010pF @ 10V Leistung - max 450mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP (5.5x6.0) |
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Hersteller Sanken Serie - FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 10V Leistung - max 4W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 12-SIP Lieferantengerätepaket 12-SIP |
Hersteller Sanken Serie - FET-Typ 4 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 3A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 10V Leistung - max 4.8W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads Lieferantengerätepaket 15-ZIP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V Leistung - max 3.2W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
