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ZVP1320ASTZ

ZVP1320ASTZ

Nur als Referenz

Teilenummer ZVP1320ASTZ
PNEDA Teilenummer ZVP1320ASTZ
Beschreibung MOSFET P-CH 200V 0.07A TO92-3
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 5.706
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ZVP1320ASTZ Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZVP1320ASTZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
ZVP1320ASTZ, ZVP1320ASTZ Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 79,26 KB)
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ZVP1320ASTZ Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.70mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs80Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)625mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketE-Line (TO-92 compatible)
Paket / FallE-Line-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FQPF10N60C_F105

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

730mOhm @ 4.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2040pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

IPD25DP06NMATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 270µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

28W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3-313

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDC637AN

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1125pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

PH2925U,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 25A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6150pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

STFI20NK50Z

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

119nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAKFP (TO-281)

Paket / Fall

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Kürzlich verkauft

SP3010-04UTG

SP3010-04UTG

Littelfuse

TVS DIODE 6V 12.3V 10UDFN

LT3080EST#PBF

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IC REG LIN POS ADJ 1.1A SOT223-3

BC239C

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ADR421ARZ

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MF-R020

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ULN2804A

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TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP