Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

ZXMC3A18DN8TA

ZXMC3A18DN8TA

Nur als Referenz

Teilenummer ZXMC3A18DN8TA
PNEDA Teilenummer ZXMC3A18DN8TA
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.506
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ZXMC3A18DN8TA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXMC3A18DN8TA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ZXMC3A18DN8TA, ZXMC3A18DN8TA Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 686,92 KB)
PDFZXMC3A18DN8TA Datenblatt Cover
ZXMC3A18DN8TA Datenblatt Seite 2 ZXMC3A18DN8TA Datenblatt Seite 3 ZXMC3A18DN8TA Datenblatt Seite 4 ZXMC3A18DN8TA Datenblatt Seite 5 ZXMC3A18DN8TA Datenblatt Seite 6 ZXMC3A18DN8TA Datenblatt Seite 7 ZXMC3A18DN8TA Datenblatt Seite 8 ZXMC3A18DN8TA Datenblatt Seite 9 ZXMC3A18DN8TA Datenblatt Seite 10 ZXMC3A18DN8TA Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • ZXMC3A18DN8TA Datasheet
  • where to find ZXMC3A18DN8TA
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated ZXMC3A18DN8TA
  • ZXMC3A18DN8TA PDF Datasheet
  • ZXMC3A18DN8TA Stock

  • ZXMC3A18DN8TA Pinout
  • Datasheet ZXMC3A18DN8TA
  • ZXMC3A18DN8TA Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • ZXMC3A18DN8TA Price
  • ZXMC3A18DN8TA Distributor

ZXMC3A18DN8TA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.8A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1800pF @ 25V
Leistung - max1.8W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

QH8KA1TCR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

73mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

125pf @ 15V

Leistung - max

2.4W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TSMT8

AON6992

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A, 31A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 15V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (5x6)

IPG20N06S2L50ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 19µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 25V

Leistung - max

51W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-4

AON5802B

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-DFN-EP (2x5)

DMN3061SVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Kürzlich verkauft

S29JL064J60TFI003

S29JL064J60TFI003

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

WM8962ECSN/R

WM8962ECSN/R

Cirrus Logic Inc.

IC CODEC STER 49WCSP

IRFU9024NPBF

IRFU9024NPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK

74AC244SC

74AC244SC

ON Semiconductor

IC BUFFER NON-INVERT 6V 20SOIC

OP295GSZ-REEL

OP295GSZ-REEL

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

TAJD227K010RNJ

TAJD227K010RNJ

CAP TANT 220UF 10% 10V 2917

74HCT32D

74HCT32D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC

ES1B-E3/61T

ES1B-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

AT25320B-SSHL-T

AT25320B-SSHL-T

Microchip Technology

IC EEPROM 32K SPI 20MHZ 8SOIC

SFH618A-4

SFH618A-4

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-DIP

MAX8216ESD+

MAX8216ESD+

Maxim Integrated

IC MONITOR VOLT MPU 14-SOIC

SD103AW-E3-08

SD103AW-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V SOD123