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ZXMC3AM832TA

ZXMC3AM832TA

Nur als Referenz

Teilenummer ZXMC3AM832TA
PNEDA Teilenummer ZXMC3AM832TA
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 12.936
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Voraussichtliche Lieferung Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ZXMC3AM832TA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXMC3AM832TA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ZXMC3AM832TA, ZXMC3AM832TA Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 264,63 KB)
PDFZXMC3AM832TA Datenblatt Cover
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ZXMC3AM832TA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 25V
Leistung - max1.7W
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-MLP (3x3)

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Vishay Siliconix

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V, 45nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V

Leistung - max

27W (Tc), 48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

IRF3546MTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc), 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1310pF @ 13V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

41-PowerVFQFN

Lieferantengerätepaket

41-PQFN (6x8)

IRFHE4250DTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

FASTIRFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

86A, 303A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.75mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1735pF @ 13V

Leistung - max

156W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

830pF @ 10V

Leistung - max

450mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 15V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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