ZXMC4559DN8TC
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| Teilenummer | ZXMC4559DN8TC |
| PNEDA Teilenummer | ZXMC4559DN8TC |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.068 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ZXMC4559DN8TC Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXMC4559DN8TC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ZXMC4559DN8TC Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.6A, 2.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1063pF @ 30V |
| Leistung - max | 2.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A, 13A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 15V Leistung - max 1.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (3.3x3.3) |
