ZXMD63C02XTC
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZXMD63C02XTC | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | ZXMD63C02XTC | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 410 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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ZXMD63C02XTC Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXMD63C02XTC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ZXMD63C02XTC Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.04W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-MSOP |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 10V Leistung - max 1.65W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket TLM832DS |
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